Схемаи ронандаи нимноқилҳои барқ як зеркатегорияи муҳими микросхемаҳои интегралӣ мебошад, ки барои IC-и драйверҳои IGBT истифода мешавад, ба ғайр аз таъмини сатҳ ва ҷараён, аксар вақт бо функсияҳои муҳофизати гардонанда, аз ҷумла ҳифзи ноқилҳои кӯтоҳи десатуратсия, қатъи пастшиддат, тазиқи Миллер, қатъи ду марҳила , хомӯшии нарм, SRC (назорати суръати гардиш) ва ғайра. Маҳсулот инчунин сатҳҳои гуногуни иҷрои изолятсия доранд.Бо вуҷуди ин, ҳамчун микросхемаҳои интегралӣ, бастаи он ҳадди аксар истеъмоли қувваи барқро муайян мекунад, ҷараёни баромади драйвери IC дар баъзе ҳолатҳо метавонад аз 10А зиёд бошад, аммо ба ҳар ҳол эҳтиёҷоти ронандагии модулҳои IGBT-ро қонеъ карда наметавонад, дар ин мақола ронандагии IGBT баррасӣ хоҳад шуд. васеъшавии ҷорӣ ва ҷорӣ.
Чӣ тавр васеъ кардани ҷараёни драйвер
Вақте ки ҷараёни гардонанда бояд зиёд карда шавад ё ҳангоми рондани IGBT-ҳои дорои иқтидори ҷараён ва иқтидори дарвозаи калон, ҷараёнро барои ронандаи IC васеъ кардан лозим аст.
Истифодаи транзисторҳои биполярӣ
Тарҳрезии маъмултарини ронандаи дарвозаи IGBT ин амалӣ кардани тавсеаи ҷорӣ тавассути истифодаи пайрави иловагии эмитент мебошад.Ҷараёни баромади транзистори пайрави эмитент бо афзоиши доимии транзистор hFE ё β ва ҷараёни асосии IB муайян карда мешавад, вақте ки ҷараёне, ки барои рондани IGBT лозим аст аз IB * β калонтар бошад, пас транзистор ба майдони кории хатӣ ва баромади баромад ворид мешавад. ҷараёни гардонанда нокифоя бошад, пас суръати пуркунӣ ва холӣ кардани конденсатори IGBT суст мешавад ва талафоти IGBT зиёд мешавад.
Истифодаи MOSFETs
MOSFET-ҳоро инчунин барои васеъ кардани ҷории драйвер истифода бурдан мумкин аст, схема одатан аз PMOS + NMOS иборат аст, аммо сатҳи мантиқии сохтори схема баръакси фишори транзистор аст.Тарҳрезии манбаи болоии қубури PMOS ба таъминоти барқ пайваст карда шудааст, дарвоза аз манбаи шиддати додашудаи PMOS пасттар аст ва баромади драйвери IC одатан дар сатҳи баланд фаъол аст, бинобар ин истифодаи сохтори PMOS + NMOS метавонад дар тарҳ инвертерро талаб кунад.
Бо транзисторҳои биполярӣ ё MOSFET?
(1) Тафовутҳои самаранокӣ, одатан дар барномаҳои пуриқтидор, басомади гузариш чандон баланд нест, бинобар ин талафоти гузаронанда асосӣ аст, вақте ки транзистор бартарӣ дорад.Бисёре аз тарҳҳои зичии баланди нерӯи кунунӣ, ба монанди драйвҳои муҳаррики мошинҳои барқӣ, ки дар он ҷо тақсимоти гармӣ душвор аст ва ҳароратҳо дар дохили корпуси пӯшида, вақте ки самаранокӣ хеле муҳим аст ва схемаҳои транзисторро интихоб кардан мумкин аст.
(2) Баромади маҳлули транзистори биполярӣ пастравии шиддатро дорад, ки аз ҷониби VCE (сатд) ба вуҷуд омадааст, шиддати таъминотро барои ҷуброн кардани найи гардонандаи VCE (сат) зиёд кардан лозим аст, то ба шиддати гардонандаи 15 В ноил шавад, дар ҳоле ки ҳалли MOSFET кариб ба истехсоли рохи охан ноил шуда метавонад.
(3) MOSFET ба шиддат тобовар аст, VGS танҳо тақрибан 20 В, ки метавонад мушкилоте бошад, ки ҳангоми истифодаи манбаъҳои мусбат ва манфии барқ ба таваҷҷӯҳ лозим аст.
(4) MOSFETҳо коэффисиенти манфии ҳарорати Rds (дар) доранд, дар ҳоле ки транзисторҳои биполярӣ коэффисиенти мусбати ҳарорат доранд ва MOSFETҳо ҳангоми пайвастшавӣ дар баробари пайвастшавӣ мушкилоти гармидиҳии гармиро доранд.
(5) Ҳангоми рондани MOSFET-ҳои Si/SiC, суръати ивазкунии транзисторҳои биполярӣ одатан нисбат ба MOSFET-ҳои объекти ронандагӣ сусттар аст, ки бояд барои васеъ кардани ҷараёни ҷараёни MOSFET-ҳо истифода шавад.
(6) Мустаҳкамии марҳилаи вуруд ба ESD ва шиддати шиддат, пайванди транзистори биполярии PN дар муқоиса бо оксиди дарвозаи MOS бартарии назаррас дорад.
Транзисторҳои биполярӣ ва хусусиятҳои MOSFET яксон нестанд, чиро истифода бурдан лозим аст ё шумо бояд мувофиқи талаботи тарҳрезии система худатон қарор қабул кунед.
Далелҳои зуд дар бораи NeoDen
① Дар соли 2010 таъсис ёфта, 200+ корманд, 8000+ кв.м.завод.
② Маҳсулоти NeoDen: Мошини интеллектуалии PNP, NeoDen K1830, NeoDen4, NeoDen3V, NeoDen7, NeoDen6, TM220A, TM240A, TM245P, печи IN6, IN12, хамираи кафшер, принтери FPM3630.
③ 10000+ муштариёни муваффақ дар саросари ҷаҳон.
④ 30+ агентҳои глобалӣ дар Осиё, Аврупо, Амрико, Океания ва Африқо фаро гирифта шудаанд.
⑤ Маркази R&D: 3 шӯъбаи R&D бо 25+ муҳандисони касбии R&D.
⑥ Бо CE номбар шудааст ва зиёда аз 50 патент гирифт.
⑦ 30+ муҳандисони назорати сифат ва дастгирии техникӣ, 15+ фурӯшандагони баландпояи байналмилалӣ, посухи саривақтии муштариён дар давоми 8 соат, ҳалли касбӣ дар давоми 24 соат.
Вақти фиристодан: 17 май-2022